一種新型存儲器BBCube混合3D存儲器,帶寬是HBM的四倍
一種新型存儲器BBCube混合3D存儲器,帶寬是HBM的四倍
東京工業(yè)大學的研究人員概述了他們的新型BBCube混合3D存儲器。BBCube 3D是“Bumpless Build Cube 3D”的縮寫。據(jù)稱,這種新型內(nèi)存可以順利獲得提高處理單元(或PU,例如GPU和CPU)與內(nèi)存芯片之間的帶寬,為更快、更高效的計算鋪平道路。該技術(shù)的具體宣稱是它給予DDR5的30倍帶寬或HBM2E的4倍帶寬。重要的是,它還順利獲得將位訪問能量減少到DDR5內(nèi)存的二十分之一,以及HBM2E所使用的能量的五分之一,給予了令人印象深刻的效率。
東京工業(yè)大學官方新聞博客宣稱,BBCube 3D的堆疊架構(gòu)“已經(jīng)實現(xiàn)了全世界可達到的最高性能”。在解釋BBCube 3D內(nèi)存的設計方式之前,研究人員概述了使用DDR5或HBM2E等當前可用內(nèi)存技術(shù)的設計人員所面臨的問題。他們斷言,現(xiàn)在理想的更高帶寬是以昂貴的更寬總線中的一個或兩個為代價的,或者是功率密集型數(shù)據(jù)速率提升的代價。
那么,BBCube 3D如何提高PU和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)之間的集成度呢?上圖給出了BBCube 3D設計的基本概述。您可以看到Pus位于內(nèi)存堆棧頂部的緩存之上。這些都安裝在硅中介層基礎上。
進一步解釋說,“缺乏典型的焊料微凸塊,以及使用TSV代替較長的電線,共同有助于實現(xiàn)低寄生電容和低電阻?!?該結(jié)構(gòu)在PU和DRAM之間建立了三維連接,廣泛利用了上述硅通孔 (TSV)。
東京工業(yè)大學聲稱BBCube 3D的性能將使其對計算設計極具吸引力,這要歸功于性能和減少能源消耗的令人信服的結(jié)合。該設計的另一個理想質(zhì)量源于電源效率,據(jù)說可以減少“熱管理和電源問題”,而某些3D半導體設計可能會引發(fā)這種問題。
現(xiàn)在似乎還沒有BBCube 3D商業(yè)化的計劃,因此讓 ■十大网投正规信誉官网■十大网投靠谱平台 與東京工業(yè)大學的科學家一起希望這項新技術(shù)“為更快、更高效的計算鋪平道路”。