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    射頻前端底層技術(shù)RF-SOI為5G賦能

    02-19

    SOI,Silicon-On-Insulator,絕緣襯底上的硅,在硅晶體管之間,加入絕緣體物質(zhì),可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。SOI又分為RF-SOI和FD-SOI,其中RF-SOI作為一種重要的射頻芯片材料技術(shù),雖然很少被提及,但在很多設(shè)備上都有重要的應(yīng)用。
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    射頻前端底層技術(shù)

    射頻前端的重要性不言而喻,是任何通信系統(tǒng)核心中的核心,RF-SOI正是用于各種射頻器件,現(xiàn)在已經(jīng)是各類射頻應(yīng)用里主流的襯底,如射頻開關(guān)、LNA、調(diào)諧器。

    RF-SOI不常被提及,但是日常生活中的很多終端,如智能耳機(jī)、手表、可穿戴設(shè)備等都有RF- SOI應(yīng)用的身影。而且不限于蜂窩通信,藍(lán)牙、Wi-Fi以及超寬帶UWB等無線技術(shù)背后都有其存在,而且RF-SOI還能在毫米波應(yīng)用中。

    RF-SOI最開始應(yīng)用在射頻開關(guān)上,當(dāng)時高性能射頻開關(guān)的成本極高,同時很難集成。RF-SOI用其優(yōu)秀的射頻性能和性價比更高的成本在高性能射頻開關(guān)上嶄露頭角,加之其易于集成的特性,慢慢取代了原本的材料工藝。

    此后隨著通信系統(tǒng)復(fù)雜程度越來越高,射頻模塊的設(shè)計也越來越復(fù)雜,RF-SOI開始被應(yīng)用到各類射頻器件中,并表現(xiàn)出優(yōu)秀的特性。此后,RF-SOI開始被廣泛應(yīng)用于各類射頻器件中成為主流的襯底。

    就SOI來說,成本可控、漏電流較小、功耗低是它的特點。SOI是使用一層二氧化硅層(SiO2)來隔離器件。能夠有效防止由常規(guī)PN結(jié)隔離形成的垂直和水平寄生器單元引發(fā)IC故障?;赟OI工藝,器件的寄生電容可以比原來少上一半,大大減少電流漏電降低整體功耗。

    開展到現(xiàn)在,RF-SOI已經(jīng)是設(shè)計射頻開關(guān)、LNA的理想工藝選擇,九成以上的射頻開關(guān)都會采用RF-SOI,LNA中使用率RF-SOI也在九成左右,占據(jù)絕對的統(tǒng)治地位。

    5G時代,RF-SOI繼續(xù)發(fā)力

    到5G時代,射頻前端需求和功能激增,高性能射頻器件正是其中的關(guān)鍵鑰匙。在現(xiàn)在的聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中 ■十大网投正规信誉官网■十大网投靠谱平台 可以看到,多天線元件、高階MIMO和多頻段的使用越來越多,再加上日益嚴(yán)苛的載波聚合技術(shù)要求,明顯提高了5G FEM的復(fù)雜性與集成度,需要更多更復(fù)雜的模塊來解決毫米波、5G、sub-6 5G的通信方面的需求。

    RF-SOI順利獲得高的信號的線性度和信號完整性在5G時代延續(xù)了在4G時代的成功。RF-SOI的應(yīng)用,讓5G基礎(chǔ)設(shè)備的聯(lián)網(wǎng)保證了極高的可靠度和穩(wěn)定性。同時,其易于集成的特性,也正好契合了5G設(shè)施向小型化開展的訴求。

    除了上面提到的射頻開關(guān)、LNA設(shè)計,RF-SOI開始在5G時代應(yīng)用在更多的其他器件的設(shè)計中。除了手機(jī),現(xiàn)在各種5G基站、其他聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備都傾向于使用基于RF-SOI襯底的芯片。

    根據(jù)Gartner的統(tǒng)計數(shù)據(jù),全球SOI市場規(guī)模將在未來5年增加一倍以上,其中RF-SOI市場占據(jù)了六成以上的增長份額。隨著通信領(lǐng)域?qū)ι漕l技術(shù)需求持續(xù)革新,未來RF-SOI產(chǎn)能還會提高并應(yīng)用到更多設(shè)計中。

    當(dāng)然,優(yōu)秀的RF-SOI并不是射頻系統(tǒng)的萬能解,RF-SOI和其他先進(jìn)技術(shù)的融合互補(bǔ)才能實現(xiàn)未來更復(fù)雜的射頻系統(tǒng)與更先進(jìn)的功能。

    小結(jié)

    去年下半年,國內(nèi)300mm RF-SOI晶圓也迎來了從無到有的突破,國內(nèi)SOI賽道上的企業(yè)也不斷在晶圓、襯底、代工、IP等方面取得成果。未來一段時間內(nèi),300mm的SOI產(chǎn)能也是產(chǎn)業(yè)鏈上的開展重點。

    RF-SOI成熟工藝已經(jīng)開展得相當(dāng)快,可以用來生產(chǎn)各種射頻相關(guān)芯片。未來RF-SOI還會應(yīng)用在異構(gòu)系統(tǒng)芯片,用更高的RF性能來提升智能聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備的性能。

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